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Agilentについて

	RF-IC・デバイスモデリング/パラメータ抽出サービス

効率的な設計には精度の良いデバイスモデルが必要です。
御社デバイスに適したモデルを提供するだけでなく、TEG作成、測定、パラメータ抽出等、モデリングに必要な全てのノウハウをご提供します。
用途に応じて、抽出サービス、コンサルティングサービス、それぞれのサービス形態の選択が可能です。

対象デバイス

Active		Passive
Bipolar(Si , SiGe) ・VBIC ・MEXTRAM504 / 503 ・Gummel-Poon ・HICUM Rev2.1/ L0	MESFET ・Angelov Model ・AgilentRootMESFET/HEMT ・Agilent EEFET3 ・Fujii Model	Passive ・抵抗・インダクタ・容量・バリキャップ・ボンディング・パッド・パッケージ・Interconnect ・その他各種パッシブ素子
MOSFET ・HiSIM2 ・BSIM4 / BSIM3 ・BSIMSOI ・MM11 ・Agilent Root MOS ・UCB Level 2 / 3 ・EKV ・PSP 微細MOS (45n～) RFスケーリング対応可能	HEMT ・Angelov Model ・AgilentRootMESFET/HEMT ・Agilent EEHEMT1	備考(Active/Passive) ・御社デバイス構造/特性に合わせたマクロモデル対応可能・RFスケーリング対応可能 (～50GHz) ・温度特性対応可能 (-50～200℃) ・各種シミュレーター対応可能・随時最新モデル対応予定
	GaAs HBT ・Agilent HBT ・UCSD HBT
	Diode ・UCB PN Junction ・Agilent Root Diode
LDMOS , DMOS ,HVMOS ・HiSIM-HV ・BSIM 3/4 +α ・各シミュレータ依存モデル	Noise ・1/f Noise (MOS/BIP)

提供ソリューション
・パラメータ抽出サービス
　御社デバイスに対応したモデルパラメータを迅速に抽出し、ご提供します｡
　また、御社ご要求に応じて、TEGアシストや技術トランスファー等のオプションとの組み合わせも可能です｡　紹介資料

・モデリングコンサルティング
　TEG作成 / 測定 / パラメータ抽出 / パラメータ抽出プログラム(IC-CAP上動作) / 技術トランスファー/サポート等、モデリングに必要なノウハウを御社モデリ　ング担当者にご提供します｡
　御社モデリンググループがノウハウを身に付け、ターゲットプロセスに対して
　御社独自にモデリングが行えるようになることがモデリングコンサルティング　のゴールです｡

TEG作成アシスト
　DCから高周波まで、高精度なモデリングに不可欠なTEG作成ノウハウを提供します
測定アシスト
　御社環境下で測定を行い、測定に必要なノウハウを提供します。
測定代行
モデルパラメータ提供
　最先端モデルはもちろん、御社専用カスタマイズモデルまで、御社デバイス特性に適した高精度デバイスモデルを提供します。
パラメータ抽出プログラム提供
　御社デバイス専用にカスタマイズした、IC-CAP上で動作するパラメータ自動抽出プログラムを提供します。
技術トランスファー
　モデリングに必要なノウハウを御社担当者に提供します。
サポート
　御社モデリング環境立ち上げや、日々のモデリング業務の変化に円滑に対応するために、弊社コンサルタントが継続的にサポートします。期間は標準サポートの3ヶ月間から、1年間の年間サポートまで対応可能です｡

モデリング環境

新測定環境を構築
300mmオンウエハ・デバイス測定環境をアジレント・テクノロジー八王子サイトに構築しました！

◆評価可能項目
　-DC
　-CV
　-AC
　-1/f noise
　-Source-Pull
　-Distortion,IM3,PAE等

◆測定システム(八王子サイト)
・RF-Device Modeling System1(300mm)
- カスケード・セミオートプローバー：　- 温度コントローラー：　- ネットワークアナライザ：　- 半導体パラメータ・アナライザ：　- LCRメータ：　- ベクトルシグナルアナライザ：　- 1/f測定システム：　- その他：	S300 -50～200℃ PNA-N5250A(10M～110GHz)、8753ES 4156C / 4142B 4284A 89410A / 89641S 1/f測定システム基本測定器
・RF-Device Modeling System2(300mm)
- SUSS・セミオートプローバー：　- 温度コントローラー：　- ネットワークアナライザ：　- 半導体パラメータ・アナライザ：　- LCRメータ：　- ベクトルシグナルアナライザ：　- 1/f測定システム：　- その他：	PA300PS -50～200℃ PNA-E8364B(10M～50GHz) 4156C / 4142B 4284A 89410A / 89641S 1/f測定システム基本測定器

・300mmウェハ、110GHz測定システムの稼動開始

その他・提供可能システム

新1/fシステム
1/fノイズの測定システムとSPICEモデリングを行うためのIC-CAPを用いたモデリング環境をご提供いたします。　新システムはセミオートプローバーと連動し、面内自動測定を実現します。

パッシブ素子モデリングソフトウェア

Spiral-INDやMIM等の測定とSPICEモデリングを行うためのIC-CAPを用いたモデリングソフトウェアをご提供いたします。本ツールキットを用いることにより、容易にSpiral-IND等のモデリングが可能になります。スケーラブルモデルにも対応します！

アプリケーションノート/ソリューション紹介資料(工事中)

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お問い合わせ窓口
	関連情報
各ソリューションの見積り、詳細については、御社担当営業または、お問い合わせ窓口までご連絡ください｡ Agilent EEsof EDA 通信機器や関連デバイス設計のための、高周波回路/システム、およびモデリングのためのソリューションを提供しています。トピックス HiSIM2.4.1/HiSIM-HV対応開始　 RF統計解析ソリューションを新規開発 RF多点測定＋データマイニング手法 or プロセスベース統計手法を用いた統計解析モデル構築トータルソリューションを発表。　パラメータ抽出サービス提供開始　アジレント・テクノロジー(株)では貴社デバイスのパラメータ抽出を高精度かつ迅速に提供するためのサービスとして「パラメータ抽出サービス」の提供を開始しました。　紹介資料新パッシブ素子モデリングソフトウェア IC-CAP上で容易にSpiral-IND等のモデリングが可能になります。スケーラブルモデルにも対応するモデリングソフトウェアをリリースしました。新測定環境を構築 300mmオンウエハ・デバイス測定環境をアジレント・テクノロジー八王子サイトに構築しました！新1/f測定・抽出システム面内自動測定に対応する、新1/fシステムをリリースしました。


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